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SI1302DL-T1-E3

SI1302DL-T1-E3

僅供參考

型號 SI1302DL-T1-E3
PNEDA編號 SI1302DL-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 759,828
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1302DL-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1302DL-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI1302DL-T1-E3, SI1302DL-T1-E3數據表 (總頁數: 9, 大小: 217.34 KB)
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SI1302DL-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)600mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)280mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-3
包裝/箱SC-70, SOT-323

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51.4A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4460pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 65.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 53µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

61W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

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