SI1302DL-T1-E3
僅供參考
型號 | SI1302DL-T1-E3 |
PNEDA編號 | SI1302DL-T1-E3 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 759,828 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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SI1302DL-T1-E3資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | SI1302DL-T1-E3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
數據表 |
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SI1302DL-T1-E3規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | TrenchFET® |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 600mA (Ta) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 480mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 3V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 1.4nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | - |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 280mW (Ta) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包裝 | SC-70-3 |
包裝/箱 | SC-70, SOT-323 |
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