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SI1555DL-T1-E3

SI1555DL-T1-E3

僅供參考

型號 SI1555DL-T1-E3
PNEDA編號 SI1555DL-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 20V/8V SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1555DL-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1555DL-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1555DL-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V, 8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)660mA, 570mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

745pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

668pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1171pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

590mA (Ta), 410mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V

功率-最大

285mW (Ta)

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