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SI1900DL-T1-E3

SI1900DL-T1-E3

僅供參考

型號 SI1900DL-T1-E3
PNEDA編號 SI1900DL-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 280,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1900DL-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1900DL-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1900DL-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)590mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs480mOhm @ 590mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.4mOhm @ 9A, 10V, 29.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.5nC, 19.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF, 890pF @ 15V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

861pF @ 25V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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