SI1900DL-T1-GE3數據表
SI1900DL-T1-GE3數據表
總頁數: 9
大小: 219.31 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI1900DL-T1-GE3, SI1900DL-T1-E3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 630mA (Ta), 590mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 300mW, 270mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 590mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 270mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |
