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SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1912EDH-T1-E3
PNEDA編號 SI1912EDH-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1912EDH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1912EDH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1912EDH-T1-E3, SI1912EDH-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 115.48 KB)
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SI1912EDH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.13A
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 100µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大570mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 15V

功率-最大

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Nexperia USA Inc.

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

210mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

功率-最大

320mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.76nC @ 4.5V

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