SI3588DV-T1-E3
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僅供參考
型號 | SI3588DV-T1-E3 |
PNEDA編號 | SI3588DV-T1-E3 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 2,502 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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SI3588DV-T1-E3資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module |
![]() |
制造商零件編號 | SI3588DV-T1-E3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-陣列 |
數據表 |
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SI3588DV-T1-E3規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | TrenchFET® |
FET類型 | N and P-Channel |
FET功能 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 2.5A, 570mA |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 80mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 450mV @ 250µA (Min) |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | - |
功率-最大 | 830mW, 83mW |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
供應商設備包裝 | 6-TSOP |
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