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SI3951DV-T1-E3

SI3951DV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3951DV-T1-E3
PNEDA編號 SI3951DV-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3951DV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3951DV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI3951DV-T1-E3, SI3951DV-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 117.78 KB)
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SI3951DV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs115mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.1nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2.5W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

480nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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