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SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4818DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4818DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4818DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4818DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4818DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1W, 1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA, 3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.6pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 10V

功率-最大

1W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 25V

功率-最大

1.38W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

562nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15200pF @ 25V

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