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SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4128BDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4128BDY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4128BDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4128BDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI4128BDY-T1-GE3, SI4128BDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 110.66 KB)
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SI4128BDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 5A, 10V

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