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TPCA8064-H,LQ(CM

TPCA8064-H,LQ(CM

僅供參考

型號 TPCA8064-H,LQ(CM
PNEDA編號 TPCA8064-H-LQ-CM
描述 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCA8064-H資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCA8064-H,LQ(CM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPCA8064-H規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta), 32W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6909pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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