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SI4559ADY-T1-E3

SI4559ADY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4559ADY-T1-E3
PNEDA編號 SI4559ADY-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 268,674
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4559ADY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4559ADY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4559ADY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A, 3.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds665pF @ 15V
功率-最大3.1W, 3.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

345pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 25V

功率-最大

500mW

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Surface Mount

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620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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