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SI4567DY-T1-GE3

SI4567DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4567DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4567DY-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 23 - 九月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4567DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4567DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4567DY-T1-GE3, SI4567DY-T1-GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 131 KB)
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SI4567DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A, 4.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds355pF @ 20V
功率-最大2.75W, 2.95W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

330mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

功率-最大

3.1W (Ta), 23W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

700mW, 900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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