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SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4908DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4908DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4908DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4908DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4908DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds355pF @ 20V
功率-最大2.75W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

845pF @ 25V

功率-最大

29W

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

350mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

276mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5316pF @ 25V

功率-最大

208W

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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