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SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4908DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4908DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4908DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4908DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4908DY-T1-E3, SI4908DY-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 102.23 KB)
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SI4908DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds355pF @ 20V
功率-最大2.75W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4290pF @ 15V

功率-最大

2.7W

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.73nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 50V

功率-最大

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

190V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

950mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

90pF @ 100V

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