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SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4967DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4967DY-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4967DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4967DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4967DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Siliconix

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 15V

功率-最大

3.1W, 3.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

功率-最大

1.54W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

860mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.56nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 16V

功率-最大

1.65W

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

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