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SI5915BDC-T1-E3

SI5915BDC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5915BDC-T1-E3
PNEDA編號 SI5915BDC-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 1 - 三月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5915BDC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5915BDC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5915BDC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 4V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5800pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

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