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SI5915BDC-T1-E3

SI5915BDC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5915BDC-T1-E3
PNEDA編號 SI5915BDC-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 1 - 三月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5915BDC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5915BDC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI5915BDC-T1-E3, SI5915BDC-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 111.77 KB)
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SI5915BDC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 4V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

510mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

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27nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 38A, 10V

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4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1115pF @ 15V

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