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SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5915DC-T1-E3
PNEDA編號 SI5915DC-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5915DC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5915DC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5915DC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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