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SI6943BDQ-T1-GE3

SI6943BDQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6943BDQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6943BDQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6943BDQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6943BDQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6943BDQ-T1-GE3, SI6943BDQ-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 107.06 KB)
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SI6943BDQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大800mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.1A, 12.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

608pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W, 1.5W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

功率-最大

-

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