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SI7224DN-T1-GE3

SI7224DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7224DN-T1-GE3
PNEDA編號 SI7224DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7224DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7224DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7224DN-T1-GE3, SI7224DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 18, 大小: 597.91 KB)
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SI7224DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 15V
功率-最大17.8W, 23W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

282pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1840pF @ 15V

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2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 30V

功率-最大

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