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UT6JA3TCR

UT6JA3TCR

僅供參考

型號 UT6JA3TCR
PNEDA編號 UT6JA3TCR
描述 UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UT6JA3TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UT6JA3TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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UT6JA3TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs59mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds460pF @ 10V
功率-最大2W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerUDFN
供應商設備包裝HUML2020L8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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制造商

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系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V, 8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA, 775mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 20V

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.1A, 12.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

608pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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