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SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3

僅供參考

型號 SI7852ADP-T1-E3
PNEDA編號 SI7852ADP-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 23,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7852ADP-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7852ADP-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI7852ADP-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1825pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)5W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4383pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-PQFN (2x2)

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2015pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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