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SI7913DN-T1-GE3

SI7913DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7913DN-T1-GE3
PNEDA編號 SI7913DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7913DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7913DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7913DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

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3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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