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US6J12TCR

US6J12TCR

僅供參考

型號 US6J12TCR
PNEDA編號 US6J12TCR
描述 1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6J12TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6J12TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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US6J12TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds850pF @ 6V
功率-最大910mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1931pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

3.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

400mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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