SISF02DN-T1-GE3
僅供參考
| 型號 | SISF02DN-T1-GE3 |
| PNEDA編號 | SISF02DN-T1-GE3 |
| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,166 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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SISF02DN-T1-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SISF02DN-T1-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SISF02DN-T1-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 25V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 30.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 3.5mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.3V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 56nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2650pF @ 10V |
| 功率-最大 | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | PowerPAK® 1212-8SCD |
| 供應商設備包裝 | PowerPAK® 1212-8SCD |
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