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SI8275DB-IM1

SI8275DB-IM1

僅供參考

型號 SI8275DB-IM1
PNEDA編號 SI8275DB-IM1
描述 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
制造商 Silicon Labs
單價 請求報價
庫存 10,044
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 1 - 四月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8275DB-IM1資源

品牌 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8275DB-IM1
類別半導體隔離器隔離器-柵極驅動器
數據表
SI8275DB-IM1, SI8275DB-IM1數據表 (總頁數: 49, 大小: 935.99 KB)
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SI8275DB-IM1規格

制造商Silicon Labs
系列Automotive, AEC-Q100
技術Capacitive Coupling
頻道數2
電壓-隔離2500Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值)150kV/µs
傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)60ns, 60ns
脈沖寬度失真(最大值)8ns
上升/下降時間(典型值)10.5ns, 13.3ns
電流-輸出高,低1.8A, 4A
電流-峰值輸出4A
電壓-正向(Vf)(典型值)-
電流-直流正向(If)(最大值)-
電壓-輸出電源4.2V ~ 30V
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-VDFN
供應商設備包裝14-QFN (5x5)
批準CQC, CSA, UL, VDE

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共模瞬變抗擾度(最小值)

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

350ns, 250ns

脈沖寬度失真(最大值)

-

上升/下降時間(典型值)

22ns, 18ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.55V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

電壓-輸出電源

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工作溫度

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175ns, 175ns

脈沖寬度失真(最大值)

75ns

上升/下降時間(典型值)

40ns, 40ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.56V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

電壓-輸出電源

15V ~ 30V

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

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5000Vrms

共模瞬變抗擾度(最小值)

35kV/µs

傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

150ns, 150ns

脈沖寬度失真(最大值)

50ns

上升/下降時間(典型值)

15ns, 8ns

電流-輸出高,低

1.2A, 1.2A

電流-峰值輸出

4A

電壓-正向(Vf)(典型值)

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電流-直流正向(If)(最大值)

8mA

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

65ns, 65ns

脈沖寬度失真(最大值)

60ns

上升/下降時間(典型值)

15ns, 15ns

電流-輸出高,低

4A, 4A

電流-峰值輸出

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