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SIA811DJ-T1-E3

SIA811DJ-T1-E3

僅供參考

型號 SIA811DJ-T1-E3
PNEDA編號 SIA811DJ-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA811DJ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA811DJ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SIA811DJ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds355pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

860mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.56nC @ 4.5V

Vgs(最大)

8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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