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SIA907EDJ-T1-GE3

SIA907EDJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA907EDJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA907EDJ-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V SMD
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA907EDJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA907EDJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SIA907EDJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

480nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

功率-最大

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