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APTM20HM20FTG

APTM20HM20FTG

僅供參考

型號 APTM20HM20FTG
PNEDA編號 APTM20HM20FTG
描述 MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM20HM20FTG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM20HM20FTG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM20HM20FTG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)89A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs112nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6850pF @ 25V
功率-最大357W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.46nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

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