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SI1903DL-T1-E3

SI1903DL-T1-E3

僅供參考

型號 SI1903DL-T1-E3
PNEDA編號 SI1903DL-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1903DL-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1903DL-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1903DL-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)410mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs995mOhm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

62pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

501pF @ 15V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

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系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

133mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

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