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SIDC53D120H6X1SA3

SIDC53D120H6X1SA3

僅供參考

型號 SIDC53D120H6X1SA3
PNEDA編號 SIDC53D120H6X1SA3
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIDC53D120H6X1SA3資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIDC53D120H6X1SA3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SIDC53D120H6X1SA3, SIDC53D120H6X1SA3數據表 (總頁數: 4, 大小: 63.89 KB)
PDFSIDC53D120H6X1SA3數據表 封面
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SIDC53D120H6X1SA3規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.6V @ 100A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr27µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Sawn on foil
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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45V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

280ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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