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SIZ328DT-T1-GE3

SIZ328DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ328DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ328DT-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 26,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ328DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ328DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ328DT-T1-GE3, SIZ328DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 385.14 KB)
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SIZ328DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds325pF @ 10V, 600pF @ 10V
功率-最大2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-Power33 (3x3)

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404pF @ 20V

功率-最大

1.6W, 1.7W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 15V

功率-最大

2.63W

工作溫度

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