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SIZ916DT-T1-GE3

SIZ916DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ916DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ916DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ916DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ916DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ916DT-T1-GE3, SIZ916DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 227.85 KB)
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SIZ916DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A, 40A
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1208pF @ 15V
功率-最大22.7W, 100W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-PowerPair® (6x5)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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