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SIZF300DT-T1-GE3

SIZF300DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZF300DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZF300DT-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZF300DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZF300DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIZF300DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V, 62nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
功率-最大3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-PowerPair® (6x5)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1105pF @ 25V

功率-最大

43W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount, Wettable Flank

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

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