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SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB

僅供參考

型號 SP8K1FU6TB
PNEDA編號 SP8K1FU6TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K1FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K1FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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PDFSP8K1FU6TB數據表 封面
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SP8K1FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 30V

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 800µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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