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SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

僅供參考

型號 SI7901EDN-T1-E3
PNEDA編號 SI7901EDN-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7901EDN-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7901EDN-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7901EDN-T1-E3, SI7901EDN-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 112.62 KB)
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SI7901EDN-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 800µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.3W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

26.2pF @ 10V

功率-最大

1.2W

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Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2940pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1390pF @ 10V

功率-最大

1.5W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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