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SPP80N08S2L-07

SPP80N08S2L-07

僅供參考

型號 SPP80N08S2L-07
PNEDA編號 SPP80N08S2L-07
描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPP80N08S2L-07資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPP80N08S2L-07
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SPP80N08S2L-07規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.1mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs233nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6820pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28.5mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.04V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 182mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2460W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.1mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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