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SS1H9HE3_B/H

SS1H9HE3_B/H

僅供參考

型號 SS1H9HE3_B/H
PNEDA編號 SS1H9HE3_B-H
描述 DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1H9HE3_B/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1H9HE3_B/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SS1H9HE3_B/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q100
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)90V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果860mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 90V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝SMA (DO-214AC)
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

120µA @ 60V

電容@ Vr,F

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

780ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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