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SSH22N50A

SSH22N50A

僅供參考

型號 SSH22N50A
PNEDA編號 SSH22N50A
描述 MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSH22N50A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSH22N50A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SSH22N50A, SSH22N50A數據表 (總頁數: 7, 大小: 232.9 KB)
PDFSSH22N50A數據表 封面
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SSH22N50A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs236nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5120pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)278W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 0.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

630mW (Ta), 86W (Tc)

工作溫度

175°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-TSON Advance (3.3x3.3)

包裝/箱

8-PowerVDFN

STB30NM50N

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1423pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (D²Pak)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

590nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

940W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1580pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.15W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252-3

包裝/箱

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