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SSM3J306T(TE85L,F)

SSM3J306T(TE85L,F)

僅供參考

型號 SSM3J306T(TE85L,F)
PNEDA編號 SSM3J306T-TE85L-F
描述 MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J306T(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J306T(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J306T(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs117mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 15V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds280pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSM
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 125µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 32A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

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1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

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