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SSM3J35CTC,L3F

SSM3J35CTC,L3F

僅供參考

型號 SSM3J35CTC,L3F
PNEDA編號 SSM3J35CTC-L3F
描述 MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 105,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3J35CTC資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3J35CTC,L3F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3J35CTC規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds42pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝CST3C
包裝/箱SOT-1123

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4850pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

930mW (Ta), 48W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

-

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

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-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

820mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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