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SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM

僅供參考

型號 SSM6N15AFE,LM
PNEDA編號 SSM6N15AFE-LM
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N15AFE資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N15AFE,LM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N15AFE規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.8pF @ 3V
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6 (1.6x1.6)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1761pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A, 1.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 2mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 1000V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

290A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 145A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1440nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40000pF @ 25V

功率-最大

1500W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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