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SSM6N48FU,LF

SSM6N48FU,LF

僅供參考

型號 SSM6N48FU,LF
PNEDA編號 SSM6N48FU-LF
描述 X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6N48FU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6N48FU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6N48FU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15.1pF @ 3V
功率-最大300mW
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

1.1W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A, 6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

751pF @ 10V

功率-最大

2.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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