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SSM6P35AFU,LF

SSM6P35AFU,LF

僅供參考

型號 SSM6P35AFU,LF
PNEDA編號 SSM6P35AFU-LF
描述 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 25,890
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6P35AFU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6P35AFU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6P35AFU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds42pF @ 10V
功率-最大285mW (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 13µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 15V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5875pF @ 40V

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