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SSM6P35FE,LM

SSM6P35FE,LM

僅供參考

型號 SSM6P35FE,LM
PNEDA編號 SSM6P35FE-LM
描述 MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6P35FE資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6P35FE,LM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6P35FE規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12.2pF @ 3V
功率-最大150mW
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 3V

功率-最大

200mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

805pF @ 15V

功率-最大

4.5W, 3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

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