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SST26VF016BA-104I/SM

SST26VF016BA-104I/SM

僅供參考

型號 SST26VF016BA-104I/SM
PNEDA編號 SST26VF016BA-104I-SM
描述 IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIJ
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST26VF016BA-104I/SM資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST26VF016BA-104I/SM
類別半導體內存IC內存
數據表
SST26VF016BA-104I/SM, SST26VF016BA-104I/SM數據表 (總頁數: 77, 大小: 2,859.18 KB)
PDFSST26VF016BA-104I/SN數據表 封面
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SST26VF016BA-104I/SM規格

制造商Microchip Technology
系列SST26 SQI®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁1.5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
供應商設備包裝8-SOIJ

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-WSON (6x8)

IS42S32800J-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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