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SST4119-T1-E3

SST4119-T1-E3

僅供參考

型號 SST4119-T1-E3
PNEDA編號 SST4119-T1-E3
描述 JFET N-CH 70V 200UA SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST4119-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST4119-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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SST4119-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)200µA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

150mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

5 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 4nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V (VGS)

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功率-最大

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