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SST4119-T1-E3

SST4119-T1-E3

僅供參考

型號 SST4119-T1-E3
PNEDA編號 SST4119-T1-E3
描述 JFET N-CH 70V 200UA SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST4119-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST4119-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
SST4119-T1-E3, SST4119-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 68.78 KB)
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SST4119-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)200µA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236

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15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

14.5mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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107µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

2mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

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