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SST5462-T1-E3

SST5462-T1-E3

僅供參考

型號 SST5462-T1-E3
PNEDA編號 SST5462-T1-E3
描述 JFET P-CH 55V 4MA SOT-23
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $0.6337
500 ---------- $0.6040
1,000 ---------- $0.5743
2,500 ---------- $0.5446
5,000 ---------- $0.5199
10,000 ---------- $0.4951
庫存 8,926
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST5462-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST5462-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
SST5462-T1-E3, SST5462-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 48.54 KB)
PDFSST5462-T1-E3數據表 封面
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SST5462-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)4mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1.8V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大350mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

7mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

125 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

90mA @ 18V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 15V

電阻-RDS(On)

75 Ohms

功率-最大

500mW

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-65°C ~ 200°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.4µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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