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STB36NM60N

STB36NM60N

僅供參考

型號 STB36NM60N
PNEDA編號 STB36NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB36NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB36NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB36NM60N, STB36NM60N數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,040.43 KB)
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STB36NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)29A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs83.6nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2722pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)210W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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