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STD888T4

STD888T4

僅供參考

型號 STD888T4
PNEDA編號 STD888T4
描述 TRANS PNP 30V 5A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 19,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD888T4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD888T4
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
STD888T4, STD888T4數據表 (總頁數: 10, 大小: 185.06 KB)
PDFSTD888T4數據表 封面
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STD888T4規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 500mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 1V
功率-最大15W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 600mA, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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