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STD9N65M2

STD9N65M2

僅供參考

型號 STD9N65M2
PNEDA編號 STD9N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STD9N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STD9N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STD9N65M2, STD9N65M2數據表 (總頁數: 23, 大小: 1,352.1 KB)
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STD9N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds315pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

595mOhm @ 3.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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功耗(最大值)

90W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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