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STF19NM65N

STF19NM65N

僅供參考

型號 STF19NM65N
PNEDA編號 STF19NM65N
描述 MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
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庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF19NM65N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF19NM65N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF19NM65N, STF19NM65N數據表 (總頁數: 19, 大小: 542.55 KB)
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STF19NM65N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)35W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2650pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

196nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12400pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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